MOSFET-транзисторы STP6N62K3 и STP3N62K3

Новая технология SuperMESH3 производства MOSFET-транзисторов STP6N62K3 и STP3N62K3 обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала, что позволяет сократить потери мощности в импульсных преобразователях. Эту технологию отличает также высокая устойчивость к скорости нарастания напряжения (dU/dt) и большой запас по напряжению пробоя.
Новые транзисторы найдут применение в полумостовых коммутаторах электронных балластов ламп, а также в коммутаторах импульсных источников питания. Их применение позволяет существенно улучшить надежность и безопасность преобразовательной техники – светотехнических устройств и импульсных источников питания.

Основные характеристики STP6N62K3:
рабочее напряжение до 620В;
рабочий ток до 5,5А;
сопротивление канала: 1,28Ом;
рассеиваемая мощность до 90Вт;
корпус TO-220.

Основные характеристики STP3N62K3:
рабочее напряжение до 620В;
рабочий ток до 2,7А;
сопротивление канала: 2,5Ом;
рассеиваемая мощность до 90Вт;
корпус TO-220.

Области применения: 
импульсные источники питания: квазирезонансные, прямоходовые, обратноходовые;
энергосберегающие лампы;
корректоры коэффициента мощности;
источники бесперебойного питания.

Источник: www.terraelectronica.ru