Cypress Semiconductor представила микросхему экономичной памяти SRAM

Микросхемы SRAM емкостью 64Мбит, выполненные по технологии увеличения срока службы батарей (MoBL), являются микросхемами экономичной памяти SRAM с высокой плотностью.
Они разработаны для увеличения срока службы внешних батарей в высококачественной аппаратуре, терминалах торговых точек, игровых приложениях, устройствах для интернет-телефонии (VoIP) и портативных бытовых и медицинских приборах.
Микросхемы 3Мбит и 6Мбит быстрой асинхронной памяти SRAM подключаются к 24-разрядным процессорам в системах обработки звука приложений для беспроводных и проводных сетей.
Линейки продуктов Cypress содержат микросхемы емкостью от 4кБит до 32МБит и от 64кБит до 64МБит.
Микросхема CY62187EV30LL 64МБит 3В MoBL SRAM имеет конфигурацию 4Мx16 с типичным сверхнизким, потребляемым в спящем режиме, током 8мкА и временем доступа 55нсек. Она выпускается в удовлетворяющем спецификации RoHS корпусе BGA с 48 выводами размером 8.0мм x 9.5мм x 1.4мм.
Микросхема CY7C1024DV33 3Мбит 3.3В SRAM имеет конфигурацию 128кx24, в то время как CY7C1034DV33 6МБит 3.3В SRAM имеет конфигурацию 256кx24.
Обе микросхемы имеют время доступа 10нсек и выпускаются в удовлетворяющих спецификации RoHS-корпусах-BGA с 119 выводами.
Микросхемы асинхронных модулей SRAM выпускаются с использованием 90нм C9 CMOS технологии компании Cypress.

Источник: www.terraelectronica.ru